Test structures for evaluating Al2O3 dielectrics for graphene field effect transistors on flexible substrates
Paper i proceeding, 2018

We have developed a test structure for evalua­ting the quality of Al2O3 gate dielectrics grown on graphene for graphene field effect transistors on flexible substrates. The test structure consists of a metal/dielectric/ graphene stack on a PET substrate and requires only one lithography step for the patterning of the topside metal electrodes. Results from measurements of leakage current, capacitance and loss tangent are presented.

loss tangents

leakage current

graphene

test structures

hysteresis

capacitance

field effect transistors

Författare

Xinxin Yang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Marlene Bonmann

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Kjell Jeppson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Proceedings of the 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures

Vol. 31 75-78

International Conference on Microelectronic Test Structures
Austin, Texas, USA,

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Fundament

Grundläggande vetenskaper

Ämneskategorier

Annan materialteknik

Elektroteknik och elektronik

Nanoteknik