Wide Bandwidth Terahertz Mixers Based On Graphene FETs
Paper i proceeding, 2019

In this work, resistive fundamental terahertz mixers with wide RF and IF bandwidths based on graphene field-effect transistors have been demonstrated. With an RF frequency range from 220 GHz to 487 GHz, the estimated values of the 3-dB IF bandwidth are 32 GHz and 56 GHz for mixers with GFET gate lengths of 1.2 ?m and 0.6 ?m, respectively. This is competitive with the performance of mixers based on traditional semiconductor technologies.

Graphene transistors

Graphene

Bandwidth

Mixers (machinery)

Terahertz waves

Författare

Xinxin Yang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Kjell Jeppson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Luca Banszerus

RWTH Aachen University

Christoph Stampfer

RWTH Aachen University

Martin Otto

AMO

Daniel Neumaier

AMO

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz

21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)

Vol. 2019-September 8873869

Irmmw-THz
Paris, ,

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/IRMMW-THz.2019.8873869

Mer information

Senast uppdaterat

2019-11-19