InGaAs-InAlAs-InP HEMT technology for ultra-high frequency and ultra-low noise performance
Paper i proceeding, 2005
Författare
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Piotr Starski
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mikael Malmkvist
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Malin Fridman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Shu Min Wang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Proceed. of Conf on InP and Related Materials (IPRM'05)
124-128
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik