High field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs with gate oxide grown on aluminum ion-implanted material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

IEEE Electron Device Letters

Vol. 26 2 96-98

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06