Heterogeneous Integration of Terahertz Diode Circuits
Paper i proceeding, 2016
We present an overview of the research made on integrated diode circuits for terahertz applications. This includes progress on heterogeneous integration of heterostructure barrier varactor multipliers and Schottky diode mixers on silicon substrate. The described technology uses silicon-on-insulator (SOI) substrates, for which accurate and well defined substrate thickness for the microstrip circuitry is obtained.
wafer bonding.
integrated circuits
Schottky diodes
Epitaxial transfer
heterostructure barrier varactors (HBVs)
submillimeter wave
Författare
Aleksandra Malko
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Huan Zhao Ternehäll
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Vladimir Drakinskiy
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Peter Sobis
Omnisys Instruments
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Gigahertzcentrum
2015 Asia-Pacific Microwave Conference
Vol. 1
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.1109/APMC.2015.7411749