Low-frequency Noise Characterization of Graphene FET THz Detectors
Paper i proceeding, 2018
detectors in the frequency range from 1 Hz to 1 MHz. The room-temperature Hooge parameter is extracted to be around 2×10-3. The voltage responsivity at room-temperature and the corresponding minimum noise equivalent power at 0.3 THz are estimated to be 11 V/W and 0.2 nW/Hz0.5, respectively, at a modulation frequency of 333 Hz, which shows comparable results with other detector technologies.
Graphene field-effect transistors
, terahertz, detector
Författare
Xinxin Yang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Kjell Jeppson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Luca Banszerus
RWTH Aachen University
Christoph Stampfer
RWTH Aachen University
Martin Otto
AMO
Daniel Neumaier
AMO
2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
2162-2027 (ISSN) 2162-2035 (eISSN)
Nagoya, Japan,
Flexibla terahertz detektorer i grafen
Vetenskapsrådet (VR), 2018-01-01 -- 2021-12-31.
Graphene Core Project 1. Graphene-based disruptive technologies (Graphene Flagship)
Europeiska kommissionen (Horisont 2020), 2016-04-01 -- 2018-03-31.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik (2010-2017)
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Nanoteknik
DOI
10.1109/IRMMW-THz.2018.8510404