Silicon Integrated InGaAs/InAlAs/AlAs HBV Frequency Tripler
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013
e present an integrated heterostructure barrier varactor frequency tripler on silicon substrate. The InGaAs/InAlAs/AlAs material structure is transferred onto the silicon wafer using low-temperature plasma-assisted bonding. The presented multiplier operates in the W-band (90–110 GHz). The module delivers 22.6 dBm, with a conversion loss of 6 dB, and 9% 3-dB bandwidth.
Frequency multipliers
millimeter-wave diodes
silicon
heterogeneous integration
III–V semiconductors
wafer bonding
heterostructure barrier varactors
integrated circuits
Författare
Aleksandra Malko
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN) 15580563 (eISSN)
Vol. 34 7 843 - 845 6530605Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/LED.2013.2262131