Evaluation of a GaN HEMT transistor for load- and supply-modulation applications using intrinsic waveform measurements
Paper i proceeding, 2010
Load modulation
Efficiency
Supply modulation
Power amplifier
GaN HEMT
Författare
Hossein Mashad Nemati
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Alan L. Clarke
Cardiff University
Steve C. Cripps
Cardiff University
Johannes Benedikt.
Cardiff University
Paul J. Tasker
Cardiff University
Christian Fager
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Jan Grahn
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
0149645X (ISSN)
509-512 5517696978-142447732-6 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/MWSYM.2010.5517696
ISBN
978-142447732-6