Design of highly efficient, high output power, L-band class D-1 RF power amplifiers using GaN MESFET devices
Paper i proceeding, 2007

Författare

T. Lejon

Christian Fager

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

Proc. European Conference on Wireless Technologies

371-374

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08