Large-Signal Modelling and Comparison of AlGaN/GaN HEMTs and SiC MESFETs
Paper i proceeding, 2006

The Large Signal (LS) model for GaN and SiC FET devices was developed and evaluated with DC, S, and LS measurements. Special attention was paid to improve the management of harmonics and provide. a more physical treatment of the dispersion. The model was implemented in a commercial CAD tool and exhibit good overall accuracy.

FET LS models

Författare

Iltcho Angelov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

D Schreuers

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Vincent Desmaris

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

IEEE Asia PAcific Microwave Conference, 2006, Yokohama, Japan

279-282
978-4-902339-11-6 (ISBN)

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

ISBN

978-4-902339-11-6

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE