Integration of components in a 50 nm {InGaAs}-{InAlAs}-{InP} {HEMT} process with pseudomorphic $\rm{In}_{0.35}{Ga}_{0.35}{As}$ channel
Paper i proceeding, 2004

Författare

[Person ebb01e6e-5929-4354-8588-885ef0ecc3a1 not found]

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

[Person 5a8bbfc8-b54a-4a13-8549-869d61238463 not found]

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

[Person 0b6f1084-6c62-4c77-b910-3c2c491140ea not found]

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

[Person afbd36d8-2dcb-45cc-ac79-e56c7eafc588 not found]

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

[Person ee6c1c7c-4a22-494d-b363-457c26b1680f not found]

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap

Proc. 34th European Microwave Conf.

171-174

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07