Can molecular resonant tunneling diodes be used for local refresh of DRAM memory cells?
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2000
Negative differential resistance
molecular electronics
resonant tunnelling diodes
low power DRAM memory cells
Författare
Jonas Berg
Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik
Per Lundgren
Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik
Stefan Bengtsson
Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik
Solid-State Electronics
0038-1101 (ISSN)
Vol. 44 12 2247-2252Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/S0038-1101(00)00204-5