HPM-skydd av AESA baserat på GaN

Allt fler flygande sensorer utrustas idag med en AESA (aktivt elektriskt styrbar antenn), vilket innebär att alltmer känslig elektronik flyttas närmare det potentiellt skadliga hot som HPM (High Power Microwave) kan innebära, ett hot vars kravbild också har justerats upp. Föreliggande projekt syftar till att undersöka om och hur detta hot kan motverkas genom introduktion av komponenter i det nya halvledarmaterialet galliumnitrid (GaN). Projektet avser leverera kunskap om vad nu tillgängliga GaN-processer faktiskt tål, vilka delar i processen som främst påverkar tåligheten samt hur tåligheten kan förbättras både på material/processnivå och på komponentnivå. I och med detta skapas en kunskapsbas om hur man skall hantera en utökad hotbild, vilket kommer stärka den svenska konkurrenskraften inom området ytterligare. Det ger också en möjlighet att introducera mer konkurrenskraftiga produkter och system på marknaden efter 2020.

Participants

Niklas Rorsman (contact)

Forskare vid Chalmers, Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics

Collaborations

Saab AB

Bromma, Sweden

Funding

VINNOVA

Funding years 2014–2017

Related Areas of Advance and Infrastructure

Sustainable development

Driving Forces

More information

Created

2015-04-27