Local Structure of Technologically Modified g-GeS2: Resonant Raman and Absorption Edge Spectroscopy Combined with ab initio calculations

R. Holomb; Patrik Johansson; V. Mitsa; I. Rosola

Local Structure of Technologically Modified g-GeS2: Resonant Raman and Absorption Edge Spectroscopy Combined with ab initio calculations
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

R. Holomb

Patrik Johansson

Chalmers, Teknisk fysik, Kondenserade materiens fysik

Forskning Andra publikationer

V. Mitsa

I. Rosola

Philosophical Magazine

Vol. 85 25 2947-2960

Ämneskategorier

Annan teknik

Mer information

Skapat

2017-10-08

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

Local Structure of Technologically Modified g-GeS2: Resonant Raman and Absorption Edge Spectroscopy Combined with ab initio calculations Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005