Submicron YBaCuO biepitaxial Josephson junctions: d-wave effects and phase dynamics
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2010

We report a systematic study of the transport properties of high critical temperature superconductor (HTS) biepitaxial Josephson junctions in the submicron range. Junction performances point to more uniform and reproducible devices and to better control of d-wave intrinsic properties. Outcomes promote novel insights into the transport mechanisms across grain boundaries and encourage further developments in the control of dissipation in HTS devices. The application of nanotechnology to HTS could be an additional tool to properly engineer the junction properties to match specific circuit design also in view of the integration into hybrid quantum circuits. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3388035]

scaling behavior

Josephson effect

fluxon motion

grain-boundaries

nanotechnology

transport

yttrium compounds

tunnel junctions

temperature

cerium compounds

weak links

high-temperature superconductors

barium compounds

d-wave superconductivity

grain

superconducting junction devices

strontium compounds

boundaries

yba2cu3o7-x

superconductors

Författare

D. Stornaiuolo

Superconductors, oxides and other innovative materials and devices

Università degli Studi della Campania Luigi Vanvitelli

G. Rotoli

Università degli Studi della Campania Luigi Vanvitelli

Karin Cedergren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Forskning Andra publikationer

D. Born

Università degli Studi della Campania Luigi Vanvitelli

Dipartimento di Ingegneria Aerospaziale

Thilo Bauch

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Forskning Andra publikationer

Floriana Lombardi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Forskning Andra publikationer

F. Tafuri

Università degli Studi della Campania Luigi Vanvitelli

Superconductors, oxides and other innovative materials and devices

Journal of Applied Physics

0021-8979 (ISSN) 1089-7550 (eISSN)

Vol. 107 11 113901

Ämneskategorier

Fysik

DOI

10.1063/1.3388035

Publikationsdata kopplat till DOI

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se eller via telefon 031-772 3744.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Forskningsprojekt på chalmers.se

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE