Structural properties of relaxed Ge buffer layers on Si(001): effect of layer thickness and low temperature Si initial buffer
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004

relaxation

2-dimensional electron gases

substrate

strain

x-ray-diffraction

silicon

surfactant

growth

mobility

heterostructures

Författare

Tobias Myrberg

Göteborgs universitet

AP Jacob

O. Nur

M Willander

CJ Patel

Y Campidelli

C Hernandez

O Kermarrec

D Bensahel

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

0957-4522 (ISSN) 1573-482X (eISSN)

Vol. 15 7 411-417

Ämneskategorier

Materialteknik

Annan teknik

Elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik