HSQ application for sub-10nm scale lithography.
Konferensbidrag (offentliggjort, men ej förlagsutgivet), 2004

An application of hydrogen silsesquioxane (HSQ) negative tone electron beam resist for a sub-10 nanometer scale fabrication is reported.

neuromorphic networks

Electron beam nanolithography

Författare

Piotr Jedrasik

Chalmers, Produkt- och produktionsutveckling, Maskinkonstruktion och design, MC2 process laboratorium

Nano and Giga Challenges in Microelectronics, proceedings

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik