High-gain MOS  tunnel emitter transistors

Erik Aderstedt; Igor Medugorac; Per Lundgren

High-gain MOS tunnel emitter transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2002

Författare

Erik Aderstedt

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

Igor Medugorac

Per Lundgren

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

Solid-State Electronics

Vol. 46 497-500

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

High-gain MOS tunnel emitter transistors Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2002