Numerical Modeling of Hot Electrons in n-GaAs Schottky Barrier Diodes
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1990

Författare

Hans Hjelmgren

Institutionen för tillämpad elektron fysik

IEEE Trans. Electron Devices

Vol. 37 5 1228-1234

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06