XPS Depth Profiling of Air-Oxidized Nanofilms of NbN on GaN Buffer-Layers
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017

XPS depth chemical and phase profiling of an air-oxidized niobium nitride thin film on a buffer-layer GaN is performed. It is found that an intermediate layer of Nb5N6 and NbON x under the layer of niobium oxide is generated.I

Författare

AV Lubenchenko

AA Batrakov

Sascha Krause

Chalmers, Rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling

Alexey Pavolotskiy

Chalmers, Rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling

IV Shurkaeva

DA Ivanov

OI Lubenchenko

Journal of Physics: Conference Series

1742-6588 (ISSN)

Vol. 917 092001-1 - 092001-7-

Infrastruktur

Onsala rymdobservatorium

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik