Strain Control of Exciton-Phonon Coupling in Atomically Thin Semiconductors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2018
strain
Transition metal dichalcogenide
exciton-phonon coupling
line width
excitons
Författare
Iris Niehues
Universität Münster
R. Schmidt
Universität Münster
Matthias Drüppel
Universität Münster
Philipp Marauhn
Universität Münster
Dominik Christiansen
Technische Universität Berlin
M. Selig
Technische Universität Berlin
Gunnar Berghäuser
Chalmers, Fysik, Kondenserade materiens teori
Daniel Wigger
Universität Münster
R. Schneider
Universität Münster
Lisa Braasch
Universität Münster
Rouven Koch
Universität Münster
Andres Castellanos-Gomez
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Tilmann Kuhn
Universität Münster
A. Knorr
Technische Universität Berlin
Ermin Malic
Chalmers, Fysik, Kondenserade materiens teori
Michael Rohlfing
Universität Münster
S. M. de Vasconcellos
Universität Münster
R. Bratschitsch
Universität Münster
Nano Letters
1530-6984 (ISSN) 1530-6992 (eISSN)
Vol. 18 3 1751-1757Ämneskategorier (SSIF 2011)
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1021/acs.nanolett.7b04868