Ion-beam-induced bending of semiconductor nanowires
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2018

semiconductor nanowires, ion irradiation-induced bending, in situ transmission
electron microscopy, radiation damage

Författare

Imran Hanif

Chalmers, Kemi och kemiteknik, Energi och material, Oorganisk miljökemi

Nanotechnology

0957-4484 (ISSN) 1361-6528 (eISSN)

Vol. 29 335701-

Ämneskategorier

Atom- och molekylfysik och optik

Annan fysik

Annan materialteknik

DOI

10.1088/1361-6528/aac659

Mer information

Skapat

2020-12-03