Ion-beam-induced bending of semiconductor nanowires
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2018

semiconductor nanowires

electron microscopy

in situ transmission

radiation damage

ion irradiation-induced bending

Författare

Imran Hanif

University of Huddersfield

Osmane Camara

University of Huddersfield

Matheus A Tunes

University of Huddersfield

Robert W. Harrison

University of Huddersfield

Graeme Greaves

University of Huddersfield

Stephen E. Donnelly

University of Huddersfield

Jonathan A. Hinks

University of Huddersfield

Nanotechnology

0957-4484 (ISSN) 1361-6528 (eISSN)

Vol. 29 33 335701-

Ämneskategorier

Atom- och molekylfysik och optik

Annan fysik

Annan materialteknik

DOI

10.1088/1361-6528/aac659

Mer information

Senast uppdaterat

2021-03-18