Ion-beam-induced bending of semiconductor nanowires
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2018
semiconductor nanowires, ion irradiation-induced bending, in situ transmission
electron microscopy, radiation damage
electron microscopy, radiation damage
Författare
Imran Hanif
Chalmers, Kemi och kemiteknik, Energi och material, Oorganisk miljökemi
Nanotechnology
0957-4484 (ISSN) 1361-6528 (eISSN)
Vol. 29 335701-Ämneskategorier
Atom- och molekylfysik och optik
Annan fysik
Annan materialteknik
DOI
10.1088/1361-6528/aac659