Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors (Sep, 10.1063/5.0123667, 2022)

Isabel Harrysson Rodrigues; Anamul Md Hoque; Andrei Vorobiev

doi:10.1063/5.0123667

Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors (Sep, 10.1063/5.0123667, 2022)
Övrigt, 2022

Upphovsman

Isabel Harrysson Rodrigues

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik

Forskning Andra publikationer

Anamul Md Hoque

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Forskning Andra publikationer

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik

Forskning Andra publikationer

Ämneskategorier

Annan fysik

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1063/5.0123667

Publikationsdata kopplat till DOI

Mer information

Senast uppdaterat

2023-10-27

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors (Sep, 10.1063/5.0123667, 2022) Övrigt, 2022

Upphovsman

Isabel Harrysson Rodrigues

Anamul Md Hoque

Andrei Vorobiev

Ämneskategorier

DOI

Mer information

Senast uppdaterat

Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors (Sep, 10.1063/5.0123667, 2022)
Övrigt, 2022