56% PAE mm-Wave SiGe BiCMOS Power Amplifier Employing Local Backside Etching
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2024
power amplifiers (PA)
efficiency
5G
power-added efficiency (PAE)
Satcom
Författare
Aniello Franzese
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Batuhan Sutbas
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Raqibul Hasan
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Andrea Malignaggi
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Thomas Mausolf
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Nebojsa Maletic
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Muh-Dey Wei
RWTH Aachen University, Aachen, Germany
Han Zhou
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Christian Fager
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Corrado Carta
IHP–Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik, Frankfurt, Germany
Renato Negra
RWTH Aachen University, Aachen, Germany
IEEE Microwave and Wireless Technology Letters
2771957X (ISSN) 27719588 (eISSN)
Vol. In PressÄmneskategorier
Telekommunikation
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/LMWT.2024.3409149