Room Temperature Negative Differential Resistance in Gate-All-Around Field-Effect Transistors With 1D Active Channels
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2025
silicon nanowire
GAAFET
phonon scattering
carbon nanotube
Gunn effect
Negative differential resistance (NDR)
Författare
Amit Verma
Texas A&M University
Reza Nekovei
Texas A&M University
Daryoush Shiri
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantteknologi
IEEE Transactions on Nanotechnology
1536-125X (ISSN) 19410085 (eISSN)
Vol. In PressÄmneskategorier (SSIF 2025)
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TNANO.2025.3565276