Effect of the misorientation of the 4H-SiC substrate on the open volume defects in GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006

Positron annihilation spectroscopy has been used to study GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition on misoriented 4H-SiC substrates. Two kinds of vacancy defects are observed: Ga vacancies and larger vacancy clusters in all the studied layers. In addition to vacancies, positrons annihilate at shallow traps that are likely to be dislocations. The results show that the vacancy concentration increases and the shallow positron trap concentration decreases with the increasing substrate misorientation.

semiconductor growth

MOCVD

vacancies (crystal)

wide band gap semiconductors

positron annihilation

dislocations

III-V semiconductors

gallium compounds

Författare

Elisabeth Tengborn

Chalmers, Teknisk fysik, Subatomär fysik

Forskning Andra publikationer

M Rummukainen

F. Tuomisto

K. Saarinen

M. Rudzinski

P. R. Hageman

P.K. Larsen

Anders Nordlund

Chalmers, Teknisk fysik, Nukleär teknik

Forskning Andra publikationer

Applied Physics Letters

Vol. 89 091905 3-

Ämneskategorier

Övrig annan teknik

Mer information

Skapat

2017-10-06

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE