Avancerade GaN-komponenter för mm och sub-mmvågs kommunikation
Forskningsprojekt, 2020
– 2025
Beskrivning saknas.
Deltagare
Niklas Rorsman (kontakt)
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Samarbetspartners
Linköpings universitet
Linköping, Sweden
National Chiao Tung University
Hsin-chu, Taiwan
Yuan Ze University
Taoyuan City, Taiwan
Finansiering
Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF)
Projekt-id: STP19-0008
Finansierar Chalmers deltagande under 2020–2025
Publikationer
2024
Characterization of Drain-Induced Barrier Lowering in GaN HEMTs Using a Drain Current Injection Technique
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2023
Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers
Artikel i vetenskaplig tidskrift