III-nitrider med låg defekttäthet för grön kraftelektronik
Forskningsprojekt, 2018 – 2022

Beskrivning saknas.

Deltagare

Niklas Rorsman (kontakt)

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Andra projekt Forskning

Samarbetspartners

Linköpings universitet

Linköping, Sweden

Andra projekt

Lunds universitet

Lund, Sweden

Andra projekt

Finansiering

Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF)

Projekt-id: EM16-0024
Finansierar Chalmers deltagande under 2018–2022

Andra projekt Projektinformation

Publikationer

2024

Procedure for switching loss determination in an oscillatory environment of GaN FETs in a half-bridge connection

Paper i proceeding

2023

Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers

Artikel i vetenskaplig tidskrift

2023

Observations of very fast electron traps at SiC/high-κ dielectric interfaces

Artikel i vetenskaplig tidskrift

Visa alla publikationer

Mer information

Senast uppdaterat

2018-10-18

III-nitrider med låg defekttäthet för grön kraftelektronik
Forskningsprojekt, 2018 – 2022

Deltagare

Niklas Rorsman (kontakt)

Samarbetspartners

Linköpings universitet

Lunds universitet

Finansiering

Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF)

Publikationer

Procedure for switching loss determination in an oscillatory environment of GaN FETs in a half-bridge connection

Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers

Observations of very fast electron traps at SiC/high-κ dielectric interfaces

Low Al-content n-type AlxGa1-xN layers with a high-electron-mobility grown by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition

Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN

Mer information

Senast uppdaterat

III-nitrider med låg defekttäthet för grön kraftelektronik Forskningsprojekt, 2018 – 2022

Deltagare

Niklas Rorsman (kontakt)

Samarbetspartners

Linköpings universitet

Lunds universitet

Finansiering

Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF)

Publikationer

Procedure for switching loss determination in an oscillatory environment of GaN FETs in a half-bridge connection

Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers

Observations of very fast electron traps at SiC/high-κ dielectric interfaces

Low Al-content n-type AlxGa1-xN layers with a high-electron-mobility grown by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition

Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN

Mer information

Senast uppdaterat

III-nitrider med låg defekttäthet för grön kraftelektronik
Forskningsprojekt, 2018 – 2022