Prediction of IMD in LDMOS transistor amplifiers using a new large-signal model

Christian Fager; J.C. Pedro; N.B. Carvalho; Herbert Zirath

Prediction of IMD in LDMOS transistor amplifiers using a new large-signal model
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2002

Författare

Christian Fager

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

J.C. Pedro

N.B. Carvalho

Herbert Zirath

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Vol. 50 Dec. 2834-42

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

Prediction of IMD in LDMOS transistor amplifiers using a new large-signal model Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2002