High CW power 0.3 um gate AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on sapphire
Paper i proceeding, 2004

Författare

Vincent Desmaris

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Joakim Eriksson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Materials Science Forum

Vol. 457-460 2 1629-

Ämneskategorier

Övrig annan teknik

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07