Design of Highly Efficient Load Modulation Transmitter for Wideband Cellular Applications
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2010
LDMOS FET
LTE
linearization
load modulation
4G
GaN HEMT
power amplifier (PA)
Digital predistortion (DPD)
efficiency
Författare
Hossein Mashad Nemati
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Haiying Cao
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
B. Almgren
Ericsson AB
Christian Fager
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Thomas Eriksson
Gigahertzcentrum
Chalmers, Signaler och system, Kommunikations- och antennsystem, Kommunikationssystem
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
0018-9480 (ISSN)
Vol. 58 11 2820-2828Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TMTT.2010.2077914