Good selectivity between a NiCr mask and GaAs and AlGaAs by chemically assisted ion beam etching with Cl2 gas
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1991
chromium alloys
chlorine
nickel alloys
gallium arsenide
integrated circuit technology
aluminium compounds
III-V semiconductors
masks
sputter etching
VLSI
Författare
Zhaohua Xiao
Institutionen för fasta tillståndets elektronik
Bengt Nilsson
Institutionen för fysik
Journal of the Electrochemical Society
0013-4651 (ISSN)
Vol. 138 3086-9Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik (2010-2017)
Materialvetenskap
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1002/chin.199149304