Resistive Graphene FET Subharmonic Mixers: Noise and Linearity Assessment
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

We report on the first complete RF characterization of graphene field-effect transistor subharmonic resistive mixers in the frequency interval 2–5 GHz. The analysis includes conversion loss (CL), noise figure (NF), and intermodulation distortion. Due to an 8-nm thin Al2O3 gate dielectric, the devices operate at only 0 dBm of local oscillator (LO) power with an optimum measured CL in the range of 20–22 dB. The NF closely mimics the CL, thus determining the noise to be essentially thermal in origin, which is promising for cryogenic applications. The highest input third-order intercept point is measured to be 4.9 dBm at an LO power of 2 dBm.

noise measurements

graphene

Field-effect transistors (FETs)

subharmonic resistive mixers

intermodulation distortion (IMD)

Författare

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Omid Habibpour

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

0018-9480 (ISSN)

Vol. 60 12 4035-4042 6334441

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/TMTT.2012.2221141