Ultra-Low Power InAs/AlSb HEMTs for Cryogenic Low-Noise Applications
Doktorsavhandling, 2012

Visa mer

low noise

ion implantation

InAs/AlSb

high frequency

cryogenic

metamorphic

high electron mobility transistor (HEMT)

low power

Författare

Giuseppe Moschetti

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Kategorisering

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier (SSIF 2011)

Nanoteknik

Annan elektroteknik och elektronik

Identifikatorer

ISBN

978-91-7385-753-6

Övrigt

Serie

Technical report MC2 - Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology: 235

Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola. Ny serie: 3334

Examination

2012-12-04 11:15

Kollektorn

Opponent: Iain Thayne

Mer information

Senast uppdaterat

2024-06-10