The influence of process-induced defects on electrical properties of silicon junctions
Doktorsavhandling, 1992

tunneling

silicon emitter junctions

discrete conductance fluctuation

shallow doping

deep-level transient spectroscopy

Författare

Gert I. Andersson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

ISBN

91-7032-675-4

Technical report - School of Electrical and Computer Engineering, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden: 226

Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola. Ny serie: 844

Mer information

Skapat

2017-10-08

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se eller via telefon 031-772 3744.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Forskningsprojekt på chalmers.se

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE