Formation of directly bonded Si/Si interfaces in ultra-high vacuum
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997

Författare

Karin Ljungberg

Francois Grey

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Applied Surface Science

Vol. 117 813-819

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0169-4332(97)80188-2