Formation of directly bonded Si/Si interfaces in ultra-high vacuum
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1997
Författare
Karin Ljungberg
Francois Grey
Stefan Bengtsson
Institutionen för fasta tillståndets elektronik
Applied Surface Science
Vol. 117 813-819
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/S0169-4332(97)80188-2