Self heating effects of high power SOI vertical DMOS transistor with lateral drain contacts

Kuntjoro Pinardi; Ulrich Heinle; Stefan Bengtsson; Jörgen Olsson

doi:10.1238/Physica.Topical.101a00038

Self heating effects of high power SOI vertical DMOS transistor with lateral drain contacts
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2002

Författare

Kuntjoro Pinardi

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

Ulrich Heinle

Stefan Bengtsson

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

Jörgen Olsson

Physica Scripta

00318949 (ISSN) 14024896 (eISSN)

Vol. T101 38-41

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1238/Physica.Topical.101a00038

Publikationsdata kopplat till DOI

Mer information

Skapat

2017-10-07

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE