Electrothermal simulations of high-power SOI vertical DMOS transistors with lateral drain contacts under unclamped inductive switching test
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004
Författare
Kuntjoro Pinardi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Ulrich Heinle
Uppsala universitet
Stefan Bengtsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik
Jörgen Olsson
Uppsala universitet
J. P. Colinge
University of California
Solid-State Electronics
0038-1101 (ISSN)
Vol. 48 7 1119-1126Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.sse.2004.02.010