SPFM pre-cleaning for formation of silicon interfaces by wafer bonding
Paper i proceeding, 1997

The use of H2SO4-H2O2-HF (SPFM) at low HF concentrations (10 to 1000 ppm) has been investigated as the preparation procedure prior to formation of Si-Si interfaces by wafer bonding. The SPFM cleaning process makes it possible to form a hydrophilic (OH terminated) silicon surface, thereby achieving a spontaneous and strong room temperature bond. Electrical characterization using current vs. voltage and spreading resistance measurements shows that this cleaning procedure can be used to form Si-Si junctions with excellent electrical properties. Some of the problems related to hydrophobic wafer bonding can thus be circumvented by the proposed technique

integrated circuit technology

wafer bonding

silicon

surface cleaning

elemental semiconductors

integrated circuit testing

electric current

semiconductor junctions

electric resistance

Författare

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Karin Ljungberg

Science and Technology of Semiconductor Surface Preparation. Symposium

267-

Ämneskategorier (SSIF 2011)

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE