Silicon Integrated InGaAs/InAlAs/AlAs HBV Frequency Tripler
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013

e present an integrated heterostructure barrier varactor frequency tripler on silicon substrate. The InGaAs/InAlAs/AlAs material structure is transferred onto the silicon wafer using low-temperature plasma-assisted bonding. The presented multiplier operates in the W-band (90–110 GHz). The module delivers 22.6 dBm, with a conversion loss of 6 dB, and 9% 3-dB bandwidth.

Frequency multipliers

millimeter-wave diodes

silicon

heterogeneous integration

III–V semiconductors

wafer bonding

heterostructure barrier varactors

integrated circuits

Författare

Aleksandra Malko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE Electron Device Letters

0741-3106 (ISSN)

Vol. 34 7 843 - 845

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/LED.2013.2262131

Mer information

Skapat

2017-10-08