Shallow traps at the SiO₂/SiC interface
Licentiatavhandling, 2002

silicon carbide (SiC)

deep level transient spectroscopy (DLTS)

capacitance-voltage (C-V)

metal-oxide-semiconductor (MOS)

thermally stimulated current (TSC)

interface states

Författare

Halldor Olafsson

Institutionen för mikroelektronik

Forskning Andra publikationer

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Technical report L - School of Electrical Engineering, Chalmers University of Technology.: 446

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se eller via telefon 031-772 3744.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Forskningsprojekt på chalmers.se

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE