Carrier Mobility as a Function of Temperature in as-Grown and H-intercalated Epitaxial Graphenes on 4H-SiC
Paper i proceeding, 2014
carrier density
mobility
electron transport
scattering
SiC
epitaxial growth
Graphene
Författare
Michael Winters
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
E. B. Thorsteinsson
E. O. Sveinbjornsson
H. P. Gislason
J. Hassan
E. Janzen
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Materials Science Forum
0255-5476 (ISSN) 16629752 (eISSN)
Vol. 778-780 1146-1149Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1146