On-axis homoepitaxial growth of 4H-SiC PiN structure for high power applications
Paper i proceeding, 2013
High power devices
On-axis
Growth mechanism
Carrier lifetime
Chemical vapor deposition
Författare
J. ul Hassan
Linköpings universitet
I. Booker
Linköpings universitet
L. Lilja
Linköpings universitet
A. Hallen
Kungliga Tekniska Högskolan (KTH)
Martin Fagerlind
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
P. Bergman
Linköpings universitet
Erik Janzén
Linköpings universitet
Materials Science Forum
0255-5476 (ISSN) 16629752 (eISSN)
Vol. 740-742 173-176St. Petersburg, Russia,
Ämneskategorier
Materialteknik
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.173