1.27 µm Metamorphic InGaAs Quantum Well Lasers on GaAs Substrates.

Ivar Tångring

1.27 µm Metamorphic InGaAs Quantum Well Lasers on GaAs Substrates.
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006

Författare

Ivar Tångring

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Electronics Letters

Vol. 42 12 691-693

Ämneskategorier

Telekommunikation

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-06

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE