A 200 GHz CVD Graphene FET Based Resistive Subharmonic Mixer
Paper i proceeding, 2016

We report on the design and characterization of a 200 GHz resistive subharmonic mixer based on a single, multichannel CVD graphene field effect transistor (G-FET). The device has gate length 0.5 µm and width 2x40 µm. The integrated mixer circuit is implemented in coplanar waveguide (CPW) technology and realized on a 100 µm thick high resistive silicon substrate. The measured mixer conversion loss (CL) is 34 +- 3 dB across 190-210 GHz band with 10 dBm local oscillator (LO) pumping power and the overall minimum CL gives 31.5 dB at 190 GHz.

millimeter wave integrated circuits

subharmonic resistive mixers

Graphene

coplanar waveguide

FETs

Författare

Yaxin Zhang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

MICHAEL ANDERSSON

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

0149645X (ISSN)

1-4 7540287

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/MWSYM.2016.7540287

ISBN

9781509006984

Mer information

Skapat

2017-10-07