Design considerations and laboratory testing of power circuits for parallel operation of silicon carbide MOSFETs
Paper i proceeding, 2015
MOSFET devices
Parallel operation
Power electronics
Switching loss
Schottky diodes
Silicon carbides (SiC)
Silicon Carbide (SiC)
Electric inductors
Reconfigurable hardware
Parallel operations
Schottky barrier diodes
Schottky diode
Silicon carbide
Switching losses
Electrolysis
MOS-FET
Switching
MOSFET
Författare
S. Tiwari
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
Ali Rabiei
Chalmers, Energi och miljö, Elkraftteknik
P. Shrestha
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
O. M. Midtgard
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
T. M. Undeland
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
R. Lund
SmartMotor AS
A. Gytri
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
17th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE-ECCE Europe 2015, Geneva, Switzerland, 8-10 September
7309165
978-907581522-1 (ISBN)
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/EPE.2015.7309165
ISBN
978-907581522-1