Influence of GaAsBi capping layer on morphology of InAs quantum dots
Paper i proceeding, 2016

Författare

L Wang

W Pan

X Wu

F Zhang

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

7th International Workshop on Bismuth Containing Semiconductors, Shanghai, China, July 24th-27th, 2016

Ämneskategorier

Fysik