Influence of GaAsBi capping layer on morphology of InAs quantum dots
Paper i proceeding, 2016
Författare
L Wang
W Pan
X Wu
F Zhang
Shu Min Wang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
7th International Workshop on Bismuth Containing Semiconductors, Shanghai, China, July 24th-27th, 2016
Ämneskategorier
Fysik