Step-flow growth of GaN(0001) on 4H-SiC(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2016
GaN
molecular beam epitaxy
morphology
4H-SiC substrates
Ga-rich growth
step-flow growth
Författare
Tobias Tingberg
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Anders Larsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Tommy Ive
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
1862-6300 (ISSN) 1862-6319 (eISSN)
Vol. 213 9 2498-2502Drivkrafter
Hållbar utveckling
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Styrkeområden
Materialvetenskap
Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1002/pssa.201533001