Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006
Författare
Mariusz Rudzinski
Vincent Desmaris
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
P Van Hal
J Weyher
Paul Hageman
Kristina Dynefors
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Thomas Rödle
Rik Jos
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Poul Larsen
Physica Status Solidi C
Vol. 6 2231-6
Ämneskategorier
Annan materialteknik