Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006

Författare

Mariusz Rudzinski

Vincent Desmaris

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

P Van Hal

J Weyher

Paul Hageman

Kristina Dynefors

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

Rik Jos

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Poul Larsen

Physica Status Solidi C

Vol. 6 2231-6

Ämneskategorier

Annan materialteknik

Mer information

Skapat

2017-10-08