[L].	GaN grown on sapphire, Si and GaN substrates by molecular beam epitaxy

Xinju Liu; Thomas Aggerstam; Sebastian Lourdudoss; Thorvald Andersson

[L]. GaN grown on sapphire, Si and GaN substrates by molecular beam epitaxy
Paper i proceeding, 2006

Författare

Xinju Liu

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Thomas Aggerstam

Sebastian Lourdudoss

Thorvald Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Proceedings for 30th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe

213-

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

Mer information

Skapat

2017-10-06

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Meddelande

Din e-postadress

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Chalmers bibliotek

Chalmers forskning

Chalmers examensarbeten

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE

[L]. GaN grown on sapphire, Si and GaN substrates by molecular beam epitaxy Paper i proceeding, 2006